时间：2025/8/14 18:09:39
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2N7002E T/R是一款常见的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用小信号MOSFET结构，适用于低功率和高频率操作。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：115mA
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on))：5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23
功率耗散：300mW
2N7002E T/R具有较低的导通电阻，使得它在开关应用中表现出色，功耗较小。该器件的栅极驱动要求较低，适合与数字电路配合使用。
其高频特性使其适用于射频和高速开关应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作。
该器件的SOT-23封装形式有助于节省PCB空间，适用于高密度电路设计。
2N7002E T/R常用于小功率开关电路、逻辑控制电路、LED驱动电路、电源管理和电池供电设备中。此外，它也适用于信号放大、射频开关和各种数字电路接口设计。
2N7002K, 2N7000, BSS138
