时间：2025/5/10 8:55:57
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2N7002DWT/R 是一种小型化、高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源管理、信号切换以及便携式设备等应用领域。
该型号中的后缀 '/R' 通常表示其封装形式或特殊处理工艺，具体应根据供应商提供的技术资料确认。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
导通电阻（典型值）：2.9Ω
栅极电荷：1nC
工作温度范围：-55℃至150℃
2N7002DWT/R 属于经典的 2N7002 系列，具备以下特点：
1. 高开关速度，适合高频应用。
2. 极低的输入电容，有助于减少驱动功耗。
3. 内置 ESD 保护，提高可靠性。
4. 小尺寸封装，便于在紧凑型设计中使用。
5. 耐用性强，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
6. 具有较低的阈值电压，能够兼容多种逻辑电平驱动电路。
该 MOSFET 主要用于以下场景：
1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
2. 电池供电设备中的负载切换。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 数据通信接口的保护与隔离。
5. 各类消费类电子产品中的信号切换功能。
6. 可编程逻辑控制器 (PLC) 中的小功率开关组件。
2N7002KW, BSS138, PMV40UN
