时间：2025/7/17 20:01:47
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2N7002DWT是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），通常用于低功率开关应用。这款器件具有快速开关特性和较低的导通电阻，适合用于数字逻辑电路、功率管理以及接口电路。该器件采用SOT-23封装，适合表面贴装应用。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）: 60V
栅源电压（Vgs）: ±20V
漏极电流（Id）: 110mA
导通电阻（Rds(on)）: 5Ω（最大值）
功率耗散: 300mW
工作温度范围: -55°C至150°C
2N7002DWT的主要特性包括其高可靠性和快速开关性能，这使得该器件非常适合用于高频应用。其较低的栅极电荷特性减少了开关损耗，从而提高了整体效率。
此外，该MOSFET具有宽泛的栅极电压范围（±20V），使其能够在多种电路条件下稳定工作。器件的漏极-源极电压为60V，漏极电流可达110mA，适用于低功率负载的控制。
由于采用SOT-23封装，2N7002DWT具有较小的体积和良好的热性能，适用于空间受限的设计。该封装也便于在印刷电路板（PCB）上进行自动化装配。
此MOSFET的高稳定性和耐用性使其成为许多消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中的理想选择。
2N7002DWT通常用于低功耗开关电路、逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制以及电源管理系统。由于其良好的开关特性和小尺寸封装，它也常用于便携式设备、传感器接口和小型电机控制应用。
2N7002, BSS138, 2N7000
