2N7002DW T/R 时间：2025/8/14 15:11:29 阅读：5

2N7002DW T/R 是一款常见的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路和放大电路中。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-363），适用于需要高效能和低功耗的场合。T/R表示该器件是以卷带包装形式提供的，适合自动化装配和批量生产。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-363（小型表面贴装封装）

特性

2N7002DW T/R 具备以下显著特性：其N沟道增强型结构使其在导通状态下具有较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了效率。
　　该器件的最大漏极电流为115mA，最大漏源电压为60V，使其能够胜任中低功率的开关和放大应用。
　　其栅源电压范围为±20V，提供了较宽的控制范围，同时阈值电压在1V至3V之间，这意味着它可以在较低的栅极电压下导通，适用于低功耗设计。
　　采用SOT-363封装，使得该MOSFET具有较小的体积，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性和可靠性。
　　此外，2N7002DW T/R的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其可在极端环境条件下正常运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

2N7002DW T/R 主要应用于以下领域：作为开关元件用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统等；
　　用于信号放大电路中的低频和中频放大器；
　　在微控制器或逻辑电路的输出级，作为驱动外部负载（如LED、继电器、小型电机等）的接口器件；
　　在电池供电设备中，用于降低功耗和延长电池寿命；
　　在工业自动化设备、通信设备和汽车电子系统中，作为关键的功率控制元件。