时间：2025/8/16 19:10:25
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2N7002DW K72 是一款由STMicroelectronics生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用TSSOP（Thin Shrink Small Outline Package）封装。这款MOSFET专为低电压和逻辑接口应用而设计，适用于需要高可靠性和紧凑封装的电子设备。
类型：MOSFET（双N沟道）
漏极-源极电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110mA
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
引脚数：6
2N7002DW K72 的核心特性包括其双N沟道MOSFET设计，使其能够在单个封装中实现两个独立的开关功能，从而节省电路板空间并简化设计。其最大漏极-源极电压为60V，能够适应多种中低功率应用场景。栅极-源极电压范围为±20V，使其兼容多种控制电路，同时具备较高的抗过压能力。
该器件的连续漏极电流额定值为110mA，在小型封装中提供了良好的电流处理能力，适用于电池供电设备和低功耗电路。工作温度范围从-55°C到150°C，表明其具有良好的热稳定性和环境适应性。TSSOP封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
此外，2N7002DW K72 还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体效率。这些特性使其成为理想的选择，适用于各种便携式电子设备、信号开关、电源管理和逻辑电路应用。
2N7002DW K72 广泛应用于多个领域，包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备），用于电源管理或信号切换功能。它还常用于低电压逻辑接口电路中，以控制不同电压域的信号传输。在电池供电系统中，该器件的低功耗和高效率特性使其成为理想的开关元件。此外，2N7002DW K72 还可用于小型电机控制、LED驱动、继电器驱动以及各种传感器接口电路。
2N7002KDW、2N7002W、BSS138DW、FDV301N、NDS7002A
