类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V 至 3V

2N7002DW K72 SOT-363 封装 MOSFET 的主要特点包括其高集成度、低导通电阻和快速开关能力。由于其采用 SOT-363 小型封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能和电气性能。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种控制电路，包括 TTL 和 CMOS 逻辑电平。此外，其 60V 的漏源耐压能力使其在低压应用中具备一定的电压裕量，提高了系统的可靠性。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具备较强的抗干扰能力。在导通状态下，其 RDS(on) 值较低，有助于减少功率损耗，提高效率。同时，该器件的开关速度快，适合用于高频开关应用。
　　此外，2N7002DW K72 还具有良好的静电放电（ESD）保护能力，能够承受一定程度的静电冲击，从而提升其在生产、运输和实际使用过程中的耐用性。

2N7002DW K72 常用于低电压开关控制电路中，如逻辑电平转换器、LED 驱动电路、小型继电器驱动、电源管理电路以及各种便携式电子设备中的负载开关。其高速开关特性也使其适用于 DC-DC 转换器和电池管理系统中的低功耗控制场景。
　　此外，该 MOSFET 可用于微控制器外围电路中的信号切换、传感器接口电路、小型马达控制、以及 USB 接口电源控制等应用。由于其封装小巧，特别适合用于高密度 PCB 布局的消费类电子产品和工业控制设备。

2N7002K, 2N7002E, BSS138, FDN337N, FDV301N