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2N7002BKS,115 发布时间 时间:2025/9/15 0:42:36 查看 阅读:11

2N7002BKS,115 是一款由Nexperia(原Philips半导体部门)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于开关和放大电路中。该器件采用SOT-23(SC-59)封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。2N7002BKS,115适用于多种应用场景,包括电源管理、逻辑电路、接口控制、LED驱动等。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):300mA
  功耗(Pd):300mW
  导通电阻(Rds(on)):约5Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

2N7002BKS,115 具备多项优良的电气和物理特性,使其在各类电子电路中表现出色。
  首先,其N沟道结构使其在正向栅极电压下导通,漏极电流可以有效控制,适用于各种逻辑电平控制应用。
  其次,该MOSFET的最大漏源电压为60V,漏极电流可达300mA,能够满足中低功率应用的需求。同时,其导通电阻较低,典型值约为5Ω,这有助于减少导通损耗,提高能效。
  此外,2N7002BKS,115具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
  该器件采用SOT-23(SC-59)封装,体积小巧,便于在PCB上布局和安装,适用于高密度电路设计。
  综合来看,2N7002BKS,115是一款性能稳定、易于使用且适用范围广泛的MOSFET器件。

应用

2N7002BKS,115 广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面,该器件可用于负载开关、DC-DC转换器和电池管理系统。在逻辑电路中,它可以作为电平转换器或缓冲器,实现信号的高效传输与控制。此外,2N7002BKS,115也常用于接口电路中的信号隔离和驱动控制,例如USB接口、RS-232接口等。在LED照明系统中,它可用于控制LED的开关和亮度调节。由于其具备良好的温度特性和可靠性,2N7002BKS,115也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统(如车灯控制、传感器接口等)以及消费类电子产品。

替代型号

2N7002K, 2N7000, 2N7002N, BSS138

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2N7002BKS,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最大295mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5977-6