时间：2025/9/14 10:19:44
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2N7002BKMB,315 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型MOSFET，广泛用于低电压和中等功率应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于各种通用开关和放大电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：110mA
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5Ω @ Vgs=10V
阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002BKMB,315 是一款标准的N沟道MOSFET，具备优异的导通性能和快速的开关响应，使其在低功耗应用中表现出色。其5Ω的导通电阻确保了在小电流应用中的低电压降，提高了系统效率。该器件的高栅极电压容限（±20V）提供了更强的抗过压能力，提升了电路的可靠性。此外，其SOT-23封装形式适用于紧凑型PCB设计，便于自动化装配和高密度布局。该器件符合RoHS环保标准，适合各类工业和消费类电子产品。
2N7002BKMB,315 常用于电源管理、负载开关、信号放大器、逻辑驱动电路、LED驱动电路以及各类低功耗电子设备中。其在电池供电设备、便携式电子产品和小型电机控制电路中尤为常见。
2N7002, BSS138, 2N7000, IRLML2402
