类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：115mA
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

2N7002-R1-00001 MOSFET具有多个关键特性，使其在低功耗应用中表现出色。首先，其高输入阻抗特性使得栅极驱动电流极小，从而降低了控制电路的负担。其次，该器件的开关速度快，能够在高频应用中提供良好的性能。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，适合在各种工作环境下使用。其SOT-23封装设计使其易于集成到PCB布局中，适用于表面贴装工艺。2N7002-R1-00001的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其漏源电压额定值为60V，能够满足多种低压应用的需求。由于其良好的电气性能和稳定的工艺，该器件在消费电子、工业控制和通信设备中被广泛采用。
　　在实际应用中，2N7002-R1-00001的栅极驱动电压范围较宽，通常可在2.5V至20V之间工作，这使其适用于多种逻辑电平控制，如3.3V或5V系统。该器件的漏极电流额定值为115mA，在低功率应用中提供了足够的电流承载能力。此外，其最大功耗为300mW，设计人员在进行热管理时需要考虑适当的散热措施，尤其是在高负载条件下。2N7002-R1-00001的封装尺寸小巧，有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。

2N7002-R1-00001 MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机控制、LED驱动、继电器驱动、逻辑电平转换以及电池供电设备。在电源管理电路中，它可用作负载开关或稳压器的组成部分。在电机控制和继电器驱动应用中，该器件能够有效地控制小型直流电机或继电器线圈的通断。此外，它常用于将微控制器或逻辑IC的输出信号放大至更高电压或电流水平，以驱动外部负载。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，2N7002-R1-00001可用于控制外围设备的电源开关。由于其低功耗和高开关速度特性，它也适用于数据采集系统和自动化控制系统中的信号路由和隔离。

2N7000, 2N7002K, BSS138, FDV301N