时间：2025/8/15 2:45:53
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2N7002-L是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关和放大电路中。该器件采用小型SOT-23封装，具有良好的性能和可靠性，适用于各种电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：110mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N7002-L具有较低的导通电阻，使其在开关应用中表现出色。
其高栅极绝缘性能确保了器件的长期可靠性。
该MOSFET适用于低功率开关电路，逻辑电平驱动应用以及小型电子设备中的控制电路。
由于其SOT-23封装小巧，适合在空间受限的设计中使用。
该器件还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较为恶劣的环境中工作。
2N7002-L常用于数字电路中的开关控制，例如在微控制器的I/O接口中作为驱动晶体管。
它也适用于电源管理电路，如DC-DC转换器和电池充电器。
此外，该器件可用于LED驱动电路、继电器驱动电路以及低功率放大电路。
由于其良好的开关特性，2N7002-L也常用于模拟开关和信号调节电路。
2N7000, BSS138
