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2N7002-L-R1 发布时间 时间:2025/6/3 18:38:11 查看 阅读:4

2N7002-L-R1 是一种小型化的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子电路中。它具有低栅极电荷、快速开关速度和出色的电流驱动能力,适用于信号切换、负载开关以及高频应用。
  该型号是 2N7002 系列中的一个变种,经过优化设计以满足更严格的工业标准,并且通常具备更好的一致性和可靠性。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):200mA
  脉冲漏极电流(Ip):1A
  输入电容(Ciss):48pF
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω(在 Vgs=10V 时)
  功耗(Ptot):400mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

2N7002-L-R1 的主要特点是其低导通电阻和高效率的开关性能,适合需要低损耗的应用场景。
  1. 高开关速度使其非常适合高频电路设计。
  2. 小封装体积有助于节省 PCB 空间。
  3. 良好的热稳定性允许其在极端温度环境下可靠运行。
  4. 栅极阈值电压较低,能够轻松与 TTL 和 CMOS 逻辑电路兼容。
  5. 可靠性强,适用于长期工作的工业和消费类电子产品中。

应用

该芯片被广泛用于以下领域:
  1. 手机充电器及适配器中的负载开关。
  2. 数据通信设备中的信号隔离。
  3. LED 驱动电路中的电流控制。
  4. 各类便携式设备的电源管理模块。
  5. 继电器替代方案,在音频处理和自动化控制系统中充当电子开关。
  6. 高频滤波器和放大器设计中的关键元件。

替代型号

2N7000, BSS138, SI2302DS

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