类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
　　封装类型：SOT-23

2N7002-L-1R MOSFET具有多项优良特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其较高的漏源击穿电压（60V）使其能够在中高压应用中可靠工作，例如在电源管理电路或继电器驱动电路中作为开关使用。该器件的栅极耐压为±20V，使其在栅极驱动设计上具有较大的灵活性，降低了因过压导致损坏的风险。
　　其次，2N7002-L-1R的导通电阻约为5Ω，虽然相较于现代低Rds(on) MOSFET较高，但由于其小型封装和成本优势，在低至中等功率应用中仍具有良好的性能表现。其阈值电压范围为1V至3V，使得该器件能够兼容多种逻辑电平，如3.3V或5V数字控制系统，便于直接由微控制器进行控制。
　　此外，SOT-23封装不仅节省空间，而且便于表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率和可靠性。该器件的额定功耗为300mW，适合在无需额外散热片的环境中使用。工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其在极端温度条件下也能稳定运行，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
　　最后，2N7002系列由于其成熟的设计和广泛的应用，具备较高的市场兼容性，易于采购且价格合理，是许多工程师在开关电路设计中的首选器件之一。

2N7002-L-1R MOSFET被广泛应用于多种电子设备和系统中。
　　在数字电路中，该器件常用作逻辑电平转换器，将低电压微控制器信号转换为高电压信号以驱动外部设备，如LED显示屏或传感器模块。在电源管理系统中，它可用于控制电池供电设备的电源切换，实现节能和延长电池寿命的目的。
　　在工业自动化控制中，2N7002-L-1R可以作为小型继电器或执行器的驱动开关，用于控制电机、电磁阀或加热元件等负载。此外，它也适用于通信设备中的信号切换和隔离电路，以确保数据传输的稳定性和安全性。
　　汽车电子领域中，该MOSFET可应用于车灯控制、电动车窗驱动、仪表盘指示灯管理等场景。由于其良好的温度适应性和可靠性，也适合用于发动机控制单元（ECU）中的低功率开关应用。
　　另外，该器件还可用于电源管理模块、DC-DC转换器、过流保护电路以及各类便携式电子产品中，如智能手表、无线耳机和传感器节点等。

2N7002E, 2N7000, BS170, BSS138, FDN301N