时间：2025/8/14 17:53:03
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2N7002-K-R1 是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路、逻辑电平转换、负载控制等领域。该器件采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于中低功率的开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110mA
导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
2N7002-K-R1 具有良好的导通特性和快速的开关响应，适合用于数字电路中的开关控制。其栅极驱动电压范围较宽，能够在1V至3V之间实现导通，因此兼容多种逻辑电平系统。此外，该器件的漏极和源极之间具有较高的击穿电压（60V），使其在多种电源管理和信号切换应用中表现出色。由于其SOT-23封装体积小巧，适合高密度PCB布局，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
在实际应用中，2N7002-K-R1常用于驱动LED、继电器、小型电机以及逻辑电平转换电路。其低漏电流和高输入阻抗也使其适用于低功耗系统设计。此外，该MOSFET还具备较强的抗静电能力，增强了器件在复杂工作环境下的稳定性。
2N7002-K-R1 主要用于各类电子设备中的开关控制电路。例如，在嵌入式系统中作为GPIO扩展驱动器使用，或在电源管理系统中作为负载开关。此外，该器件也常用于模拟开关、电平转换电路、继电器驱动电路、LED控制电路以及小型电机控制电路等。由于其低功耗和快速响应特性，也适用于电池供电设备和便携式电子产品中的开关控制应用。
2N7000, BSS138, 2N7002LT1G, FDN302P
