2N7002-H 时间：2025/8/11 2:05:59 阅读：5

2N7002-H 是一款广泛使用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种低功率开关和逻辑电平转换应用。该器件采用SOT-23封装，具备较高的可靠性和稳定性。该型号在工业控制、电源管理和信号切换等领域中非常常见，由于其小巧的封装和良好的电气性能，非常适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约10nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2N7002-H 具有多种关键特性，使其在低功率MOSFET市场中广受欢迎。首先，其N沟道结构允许在较低的栅极电压下工作，这使其适用于逻辑电平控制。此外，该器件的漏源电压额定值为60V，能够在多种电源管理应用中提供可靠的开关性能。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在PCB上布局，而且具有良好的热稳定性。该器件的导通电阻约为5Ω，确保了在导通状态下的低功耗。此外，其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，从而降低开关损耗。
　　在可靠性方面，2N7002-H 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在极端环境下稳定运行。其栅源电压额定值为±20V，提供了较好的过压保护能力。这些特性使该器件适用于各种通用开关、电平转换器、继电器驱动器和LED控制电路。

应用

2N7002-H 广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要低功耗和小尺寸封装的场合。典型应用包括微控制器输出驱动、逻辑电平转换、小型继电器或LED的开关控制、DC-DC转换器中的同步整流器、以及各种传感器接口电路。此外，该器件也可用于电池供电设备中的电源管理模块，以实现高效能和长续航能力。由于其良好的热性能和电气特性，2N7002-H 也常用于汽车电子、消费类电子产品和工业自动化控制系统中。