类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110mA
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值）
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

2N7002-AU_R1_000A2 具备多项优良特性，使其在众多MOSFET中脱颖而出。
　　首先，其额定漏源电压为60V，能够在中等电压环境下稳定运行，适用于多种通用开关应用。栅源电压为±20V，确保了器件在较宽的控制电压范围内正常工作。
　　其次，该器件的连续漏极电流为110mA，在SOT-23封装的MOSFET中属于较高水平，能够满足多数低功率电路的需求。此外，其导通电阻RDS(on)最大为5Ω，这在同类器件中表现良好，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　功率耗散为300mW，适合用于紧凑型设计，尤其是在空间受限的便携式电子设备中。同时，其工作温度范围为-55°C至+150°C，表明该器件具备良好的热稳定性和环境适应性，可以在极端温度条件下可靠运行。
　　最后，2N7002-AU_R1_000A2 采用SOT-23封装，体积小巧，便于PCB布局和自动化装配，符合现代电子制造的需求。

2N7002-AU_R1_000A2 通常用于各种电子系统的开关控制和信号处理电路中。
　　其最常见的应用之一是作为逻辑电平转换器，用于将低电压逻辑信号（如3.3V或5V）驱动更高电压电路（如12V或24V）。例如，在微控制器与外部设备之间进行信号转换时，该MOSFET可作为电平转换器，确保信号的正确传递。
　　此外，该器件也广泛用于负载开关电路，如LED驱动、继电器控制、电机控制和电源管理系统。由于其导通电阻较低，可以有效减少开关过程中的能量损耗，提高能效。
　　在通信设备中，2N7002-AU_R1_000A2 常用于接口电路和多路复用器控制，以实现高速信号的切换和隔离。其快速开关特性使其在数字电路和PWM（脉宽调制）控制中表现优异。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件用于电池管理和电源切换，确保设备在不同工作模式下的功耗优化。

2N7002K, 2N7002LT, 2N7002E, BSS138