类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：110mA（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω（最大值，典型值为3Ω）
　　栅极电荷(Qg)：5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92 或 SOT-23

2N7002 MOSFET 具有良好的开关特性，适合用于高速开关应用。它的栅极驱动要求较低，可以在常见的逻辑电平（如3.3V或5V）下完全导通，这使得它非常适合与微控制器或其他数字电路配合使用。
　　该器件的导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，2N7002 的最大漏源电压可达60V，使其能够在较高电压的环境中稳定工作。
　　由于其小型封装，2N7002 可以轻松集成到空间受限的电路板设计中，同时保持良好的热性能和可靠性。它在静电放电（ESD）保护方面也表现出色，能够在一定程度上抵御静电冲击，延长使用寿命。
　　2N7002 还具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。

2N7002 常用于低电压开关电路中，例如 LED 驱动、继电器控制、电机控制、电源管理、逻辑电平转换以及信号路由等应用。
　　在数字电路中，2N7002 可用于将低电压逻辑信号转换为高电压信号，实现不同电压域之间的隔离和控制。例如，它常用于微控制器与高压设备之间的接口电路中。
　　在电源管理系统中，2N7002 可用于负载开关或电源路径控制，帮助实现电源的高效管理和节能设计。
　　此外，2N7002 也广泛应用于电池供电设备、便携式电子产品、工业自动化设备以及各种传感器接口电路中。

2N7000, BSS138, 2N3904