类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

2N7002（LRC版本）具有多个优良特性，适用于多种电子电路应用。首先，它的漏源电压为60V，允许在较高的电压环境下工作，同时具有较强的耐压能力。
　　其次，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，使得其在栅极控制方面具有较大的灵活性，能够适应不同的驱动电路设计。连续漏极电流为110mA，虽然不是高功率器件，但在低功耗应用中表现出色。
　　此外，2N7002的功率耗散为300mW，适用于低功耗电路设计，同时具备较高的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级温度环境，确保器件在各种极端条件下都能可靠运行。
　　2N7002采用SOT-23小型封装，便于在PCB上安装，同时节省空间，适合高密度电路设计。由于其较高的开关速度和较低的导通电阻，该器件在数字开关电路、信号放大电路和电源管理电路中表现优异。
　　该MOSFET还具有较低的输入电容，使其在高频应用中表现出色，适用于PWM控制、LED驱动、继电器驱动等应用。此外，2N7002的导通电阻较低，减少了功率损耗，提高了电路效率。

2N7002（LRC版本）常用于多种电子设备和电路设计中。首先，在数字开关电路中，该MOSFET可以作为高速开关使用，适用于微控制器驱动负载的场景，如控制LED、继电器、小型电机等。
　　其次，在信号放大电路中，2N7002可用于低频放大，提供稳定的信号增益，适用于音频放大器、传感器信号调理等应用。
　　此外，该器件也广泛应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、电池充电电路等。由于其较高的开关速度和较低的导通电阻，2N7002可以在电源管理电路中实现高效的能量传输。
　　在通信设备中，2N7002可以用于射频开关或数据线路的控制，适用于低功率射频电路和数据传输系统。
　　该MOSFET还可用于驱动高功率MOSFET或IGBT的栅极，作为缓冲级或驱动级，提高整体电路的响应速度和稳定性。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，2N7002被广泛用于逻辑控制电路、继电器驱动、LED背光控制等应用场景。

2N7002K, 2N7000, BSS138, FDN302P