类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110mA
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N7002/2N7002L具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其低功耗设计使其适用于便携式电子设备和电源管理系统。此外，该系列MOSFET具有较高的输入阻抗，能够有效减少信号源的负载。由于其封装小巧，2N7002/2N7002L适用于高密度PCB布局。
　　2N7002和2N7002L的主要区别在于封装形式。2N7002通常采用标准TO-92封装，引脚间距为2.54mm，而2N7002L则采用加长引脚间距的封装形式，便于安装在特定的电路板上。这种差异使得2N7002L在某些应用中更容易进行手工焊接或插拔操作。
　　此外，2N7002/2N7002L的栅极驱动电压范围较宽，可在+2V至+20V之间正常工作。这使得它们可以与多种控制电路兼容，例如微控制器或数字逻辑电路。其高耐压特性也使其在某些低功率开关应用中具有优势。

2N7002/2N7002L主要用于低电压、低电流的开关和放大电路中。常见应用包括LED驱动电路、小型电机控制、继电器驱动、信号切换以及各种电池供电设备中的电源管理模块。此外，它们也常用于模拟和数字电路中的信号处理和放大功能。由于其小型封装和高性能，2N7002/2N7002L也广泛应用于消费电子产品、工业控制设备和汽车电子系统中。

2N7002K, BSS138, 2N3904