类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：300mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
　　耗散功率（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002具有以下几个显著的特性：
　　首先，它具有较高的开关速度，适用于高频开关应用。由于MOSFET的输入阻抗非常高，因此栅极驱动电流非常小，使其易于由CMOS或TTL逻辑电路直接驱动。
　　其次，2N7002的导通电阻较低，在导通状态下功耗较小，有助于提高电路效率。其60V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压控制应用。
　　此外，该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在PCB上布局，并具有良好的热性能。在正常工作条件下，其功耗较低，通常不需要额外的散热片。
　　2N7002还具有良好的温度稳定性，在宽温度范围内性能变化较小，适合工业级和消费类电子产品的应用。

2N7002广泛应用于各种电子电路中，常见的应用场景包括：
　　1. 开关电路：作为电子开关控制负载的通断，例如控制LED、继电器或小型电机。
　　2. 电平转换：在不同电压电平之间进行信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V信号。
　　3. 放大器电路：用于小信号放大，尤其是在需要高输入阻抗的场合。
　　4. 电源管理：在DC-DC转换器或负载开关中用于调节电流或电压。
　　5. 接口电路：用于微控制器与外围设备之间的信号隔离或驱动能力增强。
　　此外，它也常用于电池供电设备、便携式电子产品、工业控制系统以及汽车电子系统中。

2N7002K、BS170、2N7000、FDS6675、2N3904（BJT替代，需注意电路适配）