时间：2025/5/9 8:54:32
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2N7002 T/R是一种N沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于模拟和数字电路中，适合低功率开关和放大应用。该器件因其高输入阻抗、快速开关速度和低导通电阻而备受青睐。
2N7002采用TO-92封装形式，易于安装和使用，适用于各种消费类电子设备、工业控制和通信系统。
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：0.2A
功耗Pd：400mW
导通电阻Rds(on)：约3Ω
工作温度范围Tj：-55℃至+150℃
2N7002具有以下主要特性：
1. 高增益和低噪声性能，适合用于信号放大的场景。
2. 快速开关能力使其非常适合脉宽调制（PWM）和其他高速切换应用。
3. 高输入阻抗减少了对驱动电路的负载影响。
4. 小巧的TO-92封装使其能够轻松集成到紧凑型设计中。
5. 耐用性强，能在较宽的工作温度范围内可靠运行。
2N7002常用于以下应用场景：
1. 开关电源中的小型开关元件。
2. 各种便携式电子产品中的信号切换和放大。
3. 数字逻辑电路中的驱动级或缓冲级。
4. 电池供电设备中的负载开关。
5. 通信设备中的信号调节和处理模块。
6. 工业自动化设备中的传感器接口电路。
BSS138, BS170, 2N7000
