时间：2025/5/23 20:34:40
阅读：3
2N7000是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于各种电子电路中，尤其是在需要低电压驱动和高开关速度的场景下。2N7000具有低导通电阻、高输入阻抗以及快速开关的特点，适合用于功率放大器、开关电源、电机驱动等应用。
该器件采用TO-92封装形式，引脚排列简单，便于焊接和安装。由于其出色的电气特性和可靠性，2N7000成为许多工程师设计中小功率电子设备时的首选元件。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
功耗：400mW
导通电阻：约1.8Ω
阈值电压：1V~3V
工作温度范围：-55℃至150℃
2N7000是一款经典的MOSFET器件，具备以下主要特点：
1. 高输入阻抗，可显著降低驱动电路的负载，从而提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够满足高频电路的需求，例如脉宽调制（PWM）控制。
3. 低导通电阻，在导通状态下能减少功率损耗，提升整体性能。
4. 小型化的TO-92封装，易于集成到紧凑型设计中。
5. 工作温度范围广，适用于多种环境条件下的工业级应用。
6. 经济实惠且供应稳定，是许多基础电路设计的理想选择。
2N7000的应用领域非常广泛，包括但不限于：
1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
2. 信号电平转换，如TTL到CMOS逻辑电平转换。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 继电器驱动及负载切换。
5. 脉冲宽度调制（PWM）控制器中的开关元件。
6. 数字电路中的保护开关或限流元件。
7. 小功率音频功率放大器中的输出级驱动元件。
BSS138
IRLZ44N
AO3400
Si2302DS
