类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：200mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

2N7000-TA 具备一系列优良的电气特性，使其在低功率电子系统中表现出色。首先，其最大漏源电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种低压直流电路中的开关控制。其次，其栅极驱动电压范围为 ±20V，提供了较大的设计灵活性，同时具备较高的抗干扰能力。
　　此外，2N7000-TA 的漏极电流能力为 200mA，适合用于小功率负载的控制，如 LED 驱动、小型继电器控制和逻辑电平转换等应用场景。该器件的低导通电阻和快速开关特性使其在高频开关应用中表现出良好的效率和响应速度。
　　TO-92 封装形式不仅节省空间，还便于手工焊接和在印刷电路板（PCB）上的安装，因此在实验开发、教学和小批量生产中广泛使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
　　2N7000-TA 的制造工艺成熟，具有良好的批次一致性，降低了在设计和使用过程中的不确定性，适合于批量生产和长期运行的设备。

2N7000-TA 主要用于低功率开关控制电路，例如在微控制器系统中作为 MOSFET 驱动器，控制 LED、小型电机、继电器和传感器等外围设备。它也常用于逻辑电平转换、电源管理、电池供电设备、工业自动化控制电路以及各种小型电子项目中。
　　在电源管理系统中，2N7000-TA 可用于低电流负载的开关控制，实现高效的能量管理。在嵌入式系统中，它可作为数字输出端的功率开关，增强控制能力。此外，由于其良好的温度稳定性和封装尺寸小巧，2N7000-TA 也广泛应用于便携式电子设备和智能家居控制系统中。

2N7002K-TA, BS170, 2N7000, 2N7002