时间：2025/12/24 18:21:48
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2N7000-G是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于低电压和中等功率的开关电路中。这款晶体管采用TO-92封装，适合用于电源管理、信号切换和逻辑电路等应用。由于其高可靠性和成本效益，2N7000-G成为许多电子项目中的常用选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：200mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
封装类型：TO-92
2N7000-G MOSFET具有几个显著的特性。首先，其60V的最大漏源电压使其适用于多种低压应用，包括DC-DC转换器和负载开关。其次，该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的逻辑电平进行控制，这使得其与微控制器和逻辑电路的接口变得简单。此外，2N7000-G的低导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率，而其较小的封装尺寸则节省了电路板空间。该晶体管的可靠性和耐用性也使其适用于长期运行的工业和消费类电子产品。
2N7000-G通常用于各种电子电路中，如电源管理、电机控制、LED驱动器和继电器驱动。由于其高可靠性和容易驱动的特点，该器件也常用于自动化系统、嵌入式系统和电池供电设备中的开关应用。此外，2N7000-G还被广泛应用于模拟和数字信号切换，以及在需要低功耗和高效能的场合。
2N7002, 2N3819, BS170, VN2222
