时间：2025/8/16 16:45:17
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2N7000 是一款广泛使用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装形式为TO-92，适用于中低功率的开关和放大应用。由于其高可靠性、低成本和易于使用，2N7000 常用于各种电子电路中，如电源控制、电机驱动、LED照明和逻辑电路中的接口器件。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-92
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：200mA
导通电阻（Rds(on)）：5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
功率耗散（Pd）：300mW
漏极-源极击穿电压（BVdss）：60V
2N7000 TO-92封装的MOSFET具有几个显著的电气和物理特性。首先，其60V的最大漏源电压使其适用于多种低压直流电路控制场合，同时200mA的连续漏极电流能力足以驱动小型继电器、LED灯串或直流电机等负载。其次，该器件具有较低的栅极电荷，使其在高频开关应用中表现良好，同时具备较快的开关速度。此外，2N7000的导通电阻约为5Ω，在低电流条件下产生的压降较小，从而降低了功耗和发热。该器件还具有良好的热稳定性和静电放电（ESD）保护能力，增强了其在实际应用中的可靠性。
2N7000采用TO-92封装，体积小巧，便于手工焊接和在实验板上的使用，因此在原型设计和教育实验中非常受欢迎。此外，其引脚排列清晰（通常为G-S-D），便于电路设计和连接。
2N7000 MOSFET广泛应用于各种电子电路中，包括电源开关控制、电机速度控制、LED背光调节、继电器驱动、逻辑电平转换以及电池供电设备中的负载切换。在数字电路中，2N7000常用于将微控制器或逻辑IC的输出信号转换为高电压或高电流输出，以驱动外部设备。此外，该器件也用于模拟开关、电压调节电路和低噪声放大器设计中。
2N7002, BS170, 2N3904
