时间：2025/8/11 19:43:25
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2N700 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电子开关、电源管理和电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于多种中高功率电子电路。作为一款早期推出的MOSFET，2N700因其稳定性和通用性，至今仍被许多设计者使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：11A（25℃）
最大导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
最大功率耗散（Pd）：40W
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220
2N700具备优异的开关性能，能够在高频条件下稳定工作，适合用于PWM（脉宽调制）控制等应用。其低导通电阻确保在导通状态下功率损耗较低，从而提高整体效率。该器件的栅极驱动电压较低，便于与逻辑IC或微控制器直接接口。此外，2N700具有较高的热稳定性和抗过载能力，在恶劣工作环境下也能保持可靠性。
该MOSFET的结构优化设计使其具有良好的雪崩击穿耐受能力，可承受一定程度的电压瞬变冲击，从而增强系统的稳定性。其TO-220封装有助于散热，适用于需要中等功率输出的电路设计。
2N700常见于电源管理电路、电机驱动、直流-直流转换器、LED照明驱动以及各种电子开关控制应用。在电源供应器中，它常用于高压侧开关控制；在工业自动化系统中，可用于控制继电器、电磁阀等执行元件；在消费类电子产品中，则可用于电池供电设备的功率控制电路。
IRF540, FQP11N10L, 2N6756, STP12NM50N
