类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：40 - 125（典型值，测试条件IC = 10mA）
　　过渡频率（fT）：约100MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-18（金属罐封装）

2N692A晶体管具备优异的电气稳定性和热管理能力，这主要得益于其采用的TO-18金属封装结构。这种封装不仅提供了良好的散热路径，还能有效屏蔽外部电磁干扰，提升电路的抗噪能力。该器件的集电极-发射极击穿电压为40V，能够安全地应用于多种低压直流系统中，如12V或24V控制系统。其最大集电极电流可达200mA，足以驱动小型继电器、指示灯或其他逻辑负载，使其在开关应用中表现出色。此外，2N692A的直流电流增益（hFE）范围为40至125，这一范围覆盖了大多数通用放大需求，确保在不同工作点下仍能维持稳定的放大倍数。
　　该晶体管的过渡频率约为100MHz，意味着它可以在较低的射频范围内进行小信号放大，适用于音频前置放大器或低频振荡电路。然而，由于其结构限制，在高于几十兆赫兹的应用中性能会显著下降，因此不适合高速数字开关或高频调制电路。2N692A的工作结温范围从-55°C到+150°C，展示了其在极端环境下的适应能力，适合工业、汽车及户外设备中的使用。该器件还具有较低的饱和压降，在完全导通状态下集电极-发射极电压可低至0.3V左右，从而减少功率损耗并提高效率。
　　另一个重要特性是其长期供货历史带来的高度互换性。许多制造商生产的2N692A都遵循统一的规格标准，使得用户可以在不同品牌之间进行替换而无需重新设计电路。同时，TO-18封装便于手工焊接和检测，特别适合原型开发和教学实验。此外，该晶体管对静电敏感度较低，相较于现代微小封装器件更具鲁棒性，减少了因操作不当导致损坏的风险。综合来看，2N692A以其稳定性、耐用性和广泛的适用性，成为模拟和数字混合电路中的可靠选择。

2N692A主要用于各种低频模拟和数字电路中，特别是在需要PNP型晶体管进行信号放大或开关控制的场合。一个典型应用是作为音频放大器中的前置增益级，利用其适中的电流增益和良好的线性特性来放大微弱的声音信号。在公共广播系统、对讲机或小型收音机中，2N692A常被用来构建单级或两级共发射极放大电路，实现不失真的信号增强。此外，由于其较高的输入阻抗和合理的输出驱动能力，也适用于缓冲级设计，以隔离前后级电路避免相互影响。
　　在数字和开关电源领域，2N692A广泛用于驱动继电器、LED、小型电机和其他执行机构。例如，在自动控制面板中，微控制器通过限流电阻连接到2N692A的基极，当输出低电平时，晶体管导通，使负载电流从电源经集电极流向发射极，从而激活外部设备。这种配置简单可靠，且成本低廉，非常适合中小规模嵌入式系统的输出接口设计。另外，在稳压电源电路中，2N692A可用作串联调整管的一部分，配合误差放大器调节输出电压，实现线性稳压功能。
　　教育和科研领域也是2N692A的重要应用场景。由于其引脚清晰、参数明确、不易损坏，常被选为电子工程教学实验的标准元件，用于讲解晶体管基本工作原理、共发射极/共基极/共集电极电路结构、负载线分析以及截止与饱和状态的切换过程。此外，在维修老旧设备时，2N692A因其与原始设计高度兼容，常被用作替换件恢复设备功能。总之，尽管新型SMD晶体管不断涌现，2N692A凭借其成熟的技术和广泛的适用性，依然在多个实际工程领域发挥着重要作用。

2N693A
　　2N691A
　　BC557B
　　MPSA56
　　KSP2907A