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2N6790 发布时间 时间:2025/12/26 19:31:27 查看 阅读:18

2N6790是一款高电压、高电流的硅NPN功率晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用TO-3金属封装,具有良好的热传导性能和机械稳定性,适用于需要高可靠性和高功率处理能力的工业和消费类电子设备。2N6790设计用于在高电压环境下工作,具备较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO),使其适合用于电源控制、电机驱动、继电器驱动以及高压开关应用等场景。该晶体管由多家半导体制造商生产,包括ON Semiconductor、STMicroelectronics等,遵循JEDEC标准命名规范,确保了器件的互换性和广泛可用性。由于其优异的电气性能和坚固的封装结构,2N6790常被用于线性电源、逆变器、直流-直流转换器以及各种类型的功率放大电路中。此外,该器件能够在较宽的温度范围内稳定工作,增强了其在恶劣环境下的适用性。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):400 V
  集电极-基极电压(VCBO):400 V
  发射极-基极电压(VEBO):6 V
  集电极电流(IC):1.5 A
  功率耗散(PD):75 W
  直流增益(hFE):20 - 100 @ IC = 500 mA
  过渡频率(fT):3 MHz
  工作结温范围(Tj):-65°C 至 +200°C
  封装形式:TO-3

特性

2N6790具备出色的高电压耐受能力,其集电极-发射极和集电极-基极的额定电压均达到400V,这使得它非常适合用于高压开关和电源调节应用。这种高耐压特性使其能够在诸如高压电源、逆变器和电弧放电设备等系统中稳定运行,避免因电压瞬变或浪涌导致的器件击穿。此外,该晶体管的集电极连续电流可达1.5A,能够驱动较大负载,适用于中等功率级别的应用场景。在功率处理方面,2N6790的最大功率耗散为75W,得益于其TO-3金属封装所提供的优良散热性能,能够在高功耗条件下长时间工作而不发生热失效。
  该器件的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下(如IC = 500mA时)介于20至100之间,提供了足够的增益以实现有效的信号放大和开关控制。虽然其增益范围相对较宽,但在实际应用中可通过外部偏置电路进行优化,确保工作点的稳定性。2N6790的过渡频率为3MHz,表明其具有一定的高频响应能力,适用于中频开关和放大任务,尽管不适用于极高频率的应用(如射频放大)。其宽广的工作结温范围(-65°C至+200°C)进一步增强了其在极端环境下的可靠性,例如高温工业设备或寒冷户外装置中。
  TO-3封装不仅提供了良好的热管理能力,还具备较高的机械强度和长期稳定性,有利于焊接安装和散热器连接。该封装形式常见于早期的功率晶体管设计,至今仍在许多高可靠性系统中使用。2N6790的电气隔离性能良好,适合直接用于高压电路中,无需额外的隔离措施。此外,该器件符合多项国际安全与环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造需求。综合来看,2N6790是一款性能稳健、用途广泛的功率晶体管,特别适用于需要高电压、中等电流和高可靠性的模拟与数字控制系统。

应用

2N6790广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)中的功率开关元件,用于控制能量传输和电压调节;在直流-直流转换器中作为主控开关或同步整流驱动器;在电机控制电路中用于驱动继电器或小型直流电机,实现启停和方向控制。此外,该晶体管也常用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动车控制系统等场景。
  在工业控制领域,2N6790可用于PLC输出模块中的负载驱动单元,驱动电磁阀、接触器或其他执行机构。由于其高耐压特性,它也可用于高压闪光灯、电蚊拍、静电发生器等产生瞬间高压脉冲的设备中。在音频放大器中,虽然不是主流选择,但2N6790可作为末级功率放大管用于低频或大动态范围的放大电路中,尤其是在复古音响设计中受到青睐。
  另外,该器件适用于线性稳压电源中的串联调整管,通过调节其导通程度来稳定输出电压。在测试仪器和实验室电源中,2N6790因其稳定性和耐用性而被广泛采用。由于其良好的温度特性和抗冲击能力,该晶体管也适用于汽车电子、铁路信号系统和航空航天等对可靠性要求极高的领域。总之,凡是需要高电压开关或中等功率放大的场合,2N6790都是一个值得考虑的元器件选项。

替代型号

MJE6790,MJF6790,TIP6790

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  • 2N6790
  • 3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Pow...
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2N6790参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)800 毫欧 @ 2.25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)800mW(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-39
  • 封装/外壳TO-205AF 金属罐