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2N6766 发布时间 时间:2025/12/26 19:11:57 查看 阅读:14

2N6766是一款高功率硅NPN双极结型晶体管(BJT),专为高电流和高电压应用设计,常用于电源管理、电机驱动以及工业控制等需要稳定可靠功率放大的场合。该器件采用TO-3金属封装,具有良好的热传导性能,能够在恶劣的工作环境下保持稳定的电气特性。2N6766因其较高的集电极电流承载能力和耐压能力,在线性电源、开关电源以及功率放大电路中被广泛使用。该晶体管在设计上优化了二次击穿耐受能力,提高了在高功率切换过程中的可靠性,适用于需要长时间连续运行的工业级设备。其制造工艺符合军用或工业级标准,具备较长的使用寿命和较高的稳定性,是许多传统高功率模拟电路中的关键元件之一。

参数

类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):400 V
  最大集电极-基极电压(VCBO):400 V
  最大发射极-基极电压(VEBO):6 V
  最大集电极电流(IC):16 A
  最大功耗(PD):150 W
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +200°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +200°C
  直流电流增益(hFE):20 至 100(典型值在IC = 8A时)
  过渡频率(fT):3.5 MHz
  饱和电压(VCE(sat)):2.0 V(在IC = 8A, IB = 0.8A条件下)

特性

2N6766作为一款高功率NPN晶体管,其核心优势在于卓越的电压与电流处理能力。该器件的最大集电极-发射极电压可达400V,能够承受较高的反向电压冲击,适用于高压电源转换系统。其最大集电极电流为16A,意味着它可以驱动大功率负载,如电机、加热元件或大电流继电器,而不会因过流导致损坏。此外,该晶体管的最大功耗为150W,配合TO-3金属封装所提供的高效散热能力,使其能够在持续高负载条件下稳定运行。
  该器件的热性能表现优异,结温最高可达+200°C,远高于一般商用晶体管,适合在高温工业环境中部署。其宽泛的工作温度范围(-65°C 至 +200°C)也使其可用于极端气候条件下的设备中,例如户外通信基站或工业炉控制系统。2N6766的直流电流增益(hFE)在典型工作点下维持在20至100之间,确保了足够的信号放大能力,同时避免过度增益带来的不稳定性。
  另一个重要特性是其较低的饱和压降(VCE(sat)),在8A集电极电流下仅为2.0V,这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。过渡频率为3.5MHz,虽然不适用于高频射频放大,但在大多数开关电源和低频功率放大应用中已足够使用。该晶体管还具备较强的抗二次击穿能力,能够在瞬态过载或短路情况下提供一定的保护,延长使用寿命。综合来看,2N6766是一款适用于高可靠性、高功率模拟系统的理想选择。

应用

2N6766广泛应用于各类需要高电压和大电流控制的工业电子系统中。其典型应用场景包括线性稳压电源中的串联调整管,用于调节输出电压并承受输入输出之间的高压差。在开关电源(SMPS)中,该晶体管可作为主开关器件或辅助驱动级,实现高效的能量转换。由于其高电流输出能力,也常用于直流电机驱动电路中,控制电动机的启停与转速调节,尤其适用于自动化生产线上的伺服系统或起重设备中的动力控制模块。
  此外,2N6766还可用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电,常见于不间断电源(UPS)和太阳能发电系统中。在音频功率放大器领域,尽管现代设计更多采用MOSFET或集成电路,但一些高端或复古音响系统仍会选用此类高功率双极型晶体管以获得特定的声音特性。它也可作为电子负载的核心元件,用于测试电源供应器的负载能力。在工业加热控制系统中,该晶体管可用于PWM调功电路,精确控制加热元件的功率输出。
  由于其高耐压和强电流驱动能力,2N6766还被用于脉冲宽度调制(PWM)控制器、大型继电器或电磁阀的驱动电路中,确保快速响应和可靠操作。在测试测量仪器和老化试验设备中,该器件也常被用作功率级输出单元。总之,凡是需要稳定、可靠、大功率信号放大的场合,2N6766都是一个值得信赖的选择。

替代型号

MJ15024,MJE15024,TIP33C

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2N6766参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)90 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)115 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3
  • 封装/外壳TO-204AE