晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：15A
　　最大功耗（PD）：125W
　　电流增益（hFE）：约50至150（根据工作条件）
　　频率响应（fT）：约3MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N6678T1 晶体管具有出色的电流放大能力，适用于需要中高功率的电路设计。其高电流容量（15A）使其能够驱动较大负载，例如继电器、电机或功率MOSFET。此外，该器件具有较高的最大集电极-发射极电压（100V），适用于多种电源管理应用。封装形式为TO-220，便于安装散热片，提高热稳定性。晶体管的增益（hFE）范围为50至150，确保在不同偏置条件下仍能提供稳定的放大性能。此外，其频率响应可达3MHz，适用于音频放大、开关电源和PWM控制等高频应用。
　　2N6678T1 还具有良好的热保护特性，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。这种晶体管在设计时考虑了抗二次击穿能力，使其在开关过程中能够承受较高的电压和电流应力。由于其广泛的应用范围和可靠性，2N6678T1 成为工程师在设计高功率晶体管电路时的首选器件之一。

2N6678T1 主要用于中高功率的放大器电路，例如音频功率放大器和射频放大器。它也常用于电源管理电路，如线性稳压器、开关电源以及DC-DC转换器中的驱动级。此外，该晶体管还可用于电机控制、照明控制、继电器驱动、电子开关和工业自动化设备中的功率控制电路。由于其良好的开关特性和高电流承载能力，2N6678T1 也常被用于脉宽调制（PWM）控制和逆变器设计中。

MJ21194, MJ21193, 2N6547, TIP142