2N6675 时间：2025/7/29 12:21:01 阅读：9

2N6675是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器和各种功率电子设备。2N6675采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：22A
　　导通电阻(Rds(on))：0.045Ω（最大）
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220

特性

2N6675 MOSFET具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。其高栅极阈值电压（通常为2V至4V）确保了良好的抗噪性能，同时允许直接与逻辑电路连接，简化了驱动电路设计。
　　该器件具备优良的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并且具有快速开关特性，适合高频开关应用。此外，2N6675的TO-220封装形式便于安装散热片，有助于提高散热效率，延长器件使用寿命。
　　在短路和过载情况下，2N6675具备一定的耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流而不损坏，从而提高系统的可靠性。其耐用性和高性价比使其成为工业控制、汽车电子和消费类电源设备中的常用元件。

应用

2N6675广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、LED驱动电源、工业自动化控制系统以及汽车电子系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。
　　在电源管理系统中，2N6675常用于高侧或低侧开关，控制电流流向负载。在电机控制应用中，它可以作为H桥结构的一部分，实现电机的正反转和调速功能。此外，在光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该器件也常用于功率开关，实现能量的高效转换与管理。