类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：120V
　　最大集电极电流（IC）：0.3A
　　最大功耗（PD）：40W
　　频率范围：150MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

2N6556晶体管具有多个关键特性，使其适用于高频和射频功率放大应用。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为120V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压环境。其次，最大集电极电流为0.3A，尽管电流能力相对较小，但在射频功率放大器中，该电流水平足以满足多数中功率应用需求。
　　该晶体管的最大功耗为40W，具备良好的散热能力和热稳定性，适合在较高功率条件下运行。此外，其频率范围为150MHz，增益带宽积（fT）为100MHz，能够在射频范围内提供稳定的放大性能，适合用于射频发射机和通信设备中的放大电路。
　　2N6556采用TO-220封装，便于安装在散热片上，提高散热效率。该封装形式还具有良好的机械稳定性和电气绝缘性能，确保晶体管在复杂环境中稳定运行。其工作温度范围为-65°C至+150°C，使其能够在极端温度条件下保持正常工作，适用于工业和军事级应用。

2N6556晶体管广泛应用于射频功率放大器、高频开关电路以及通信设备中。在射频发射机中，该晶体管用于放大高频信号，以确保信号能够有效传输到接收端。此外，它还可用于工业控制系统中的高频驱动电路，例如超声波清洗设备和高频加热装置。2N6556也常用于业余无线电设备、射频测试仪器以及低功率发射器中，提供可靠的射频信号放大功能。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的热稳定性，该晶体管也适用于需要长时间稳定运行的电子设备。

2N6557, 2N6558