类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：400V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
　　最大功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N6535具有几个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压可达400V，使其适用于高电压操作环境，例如离线式电源和高功率LED驱动器。其次，该器件的导通电阻仅为0.35Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，其最大漏极电流为12A，能够在较高电流条件下稳定运行，适用于高功率负载的应用场景。
　　另一个重要特性是其良好的热性能。2N6535采用TO-204金属封装，具备优秀的散热能力，能够在高功率耗散条件下保持较低的结温，从而提高可靠性和使用寿命。该器件的最大功率耗散为125W，确保其在高负载条件下依然可以正常运行。
　　此外，2N6535的栅源电压范围为±30V，使其在控制电路设计中具有较高的灵活性。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）也保证了其在极端环境下的稳定性，适用于工业和汽车电子等苛刻条件下的应用。

2N6535被广泛应用于多种高功率和高电压电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于离线式开关电源、AC-DC转换器和DC-DC降压/升压电路，提供高效的能量转换能力。在工业自动化系统中，2N6535可用于电机控制、继电器驱动和电源开关模块，支持大电流负载的稳定运行。
　　在照明系统中，特别是高功率LED驱动器中，2N6535能够作为主开关元件，提供稳定的电流控制和高效率的能量转换。此外，在不间断电源（UPS）和电池管理系统中，该MOSFET可用于实现高效的充放电控制和能量管理。
　　由于其高耐压特性和良好的热性能，2N6535也常用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器和储能系统中，作为关键的功率开关元件，支持高电压和高电流的操作需求。

IRF840, FQP12N40C, STP12NF40