时间：2025/8/25 3:14:43
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2N6519是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率放大应用。该器件由ON Semiconductor生产，具备高耐压、低导通电阻和快速开关特性。2N6519采用TO-220封装，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率控制电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：12A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
2N6519具备出色的导通性能和高耐压能力，能够在高压环境下稳定工作。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性。2N6519还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用。此外，其内置的栅极保护二极管可以防止静电放电（ESD）造成的损坏，提高器件的抗干扰能力。由于其优异的性能，2N6519在电源管理、DC-DC转换器、逆变器和负载开关等应用中表现出色。
2N6519常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统和逆变器等功率电子设备。其高耐压和低导通电阻特性使其适用于高压和高效率应用。该器件也可用于工业自动化设备、电源适配器和LED驱动器等需要高效功率控制的场合。
IRF840, IRF740, 2N6520
