类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：2A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值2.5Ω
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-263

2N65/CJPF02N65 功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能，首先其最大漏源电压为650V，能够满足高压应用场合的需求，例如开关电源和AC-DC转换器。其导通电阻Rds(on)的典型值为2.5Ω，在导通状态下可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的栅极耐压能力，最大栅源电压可达±20V，提高了在复杂工作环境下的可靠性。快速的开关特性使得该MOSFET适用于高频开关应用，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升整体设计的紧凑性。TO-220或TO-263封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性。
　　在热管理方面，该器件具有良好的热传导设计，能够在持续工作条件下维持较低的温度上升。此外，2N65/CJPF02N65具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于降低驱动损耗并提升响应速度。其耐用性和稳定性使其在工业控制、家用电器、LED照明驱动、太阳能逆变器等领域中表现优异。

该器件主要应用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、电池充电管理系统、逆变器以及各种需要高压开关的工业设备中。由于其高耐压能力和良好的导通性能，2N65/CJPF02N65也常用于小型家电如电磁炉、电风扇、空气净化器等产品的功率控制模块中。

IRF740、2N60、FQP12N65C、STP8NK60Z