类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏-源电压（VDS）：250V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.25Ω（VGS=10V）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N6256具有低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（250V VDS）使其适用于高压开关应用，例如工业电源和照明控制系统。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了较好的散热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外，2N6256的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用多种驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。
　　该器件还具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，有助于减小外围元件的尺寸并提高系统响应速度。在实际应用中，2N6256常用于DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器以及各种类型的功率开关电路中。
　　由于其高可靠性和耐用性，2N6256适用于需要长时间运行和高稳定性的工业和消费类电子产品中。

2N6256 主要用于以下应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效率的AC-DC和DC-DC转换器中，实现稳定的电压转换。
　　2. 电机控制：作为电机驱动电路中的功率开关，控制电机的启停和转速。
　　3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如加热元件、LED灯组等。
　　4. 电池管理系统：在电池充放电管理电路中作为主控开关使用。
　　5. 工业自动化：在PLC、继电器驱动和工业控制模块中用于功率控制。
　　该器件因其良好的性能和可靠性，也广泛应用于家用电器、汽车电子、通信设备等需要高效功率管理的场合。

IRF630, FQP12N25, 2N6491