时间：2025/9/3 10:37:41
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2N6165是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关和放大电路中。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。作为一款常见的分立式功率MOSFET，2N6165在工业控制、电源管理和电机驱动等领域中被广泛采用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（最大）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
2N6165具有多项优良的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。该器件的最大漏极电流为15A，漏源电压为100V，适用于中高功率的开关应用。此外，2N6165的栅源电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力，能够稳定工作在复杂的电气环境中。
该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境条件下可靠运行。此外，2N6165的快速开关特性使其适用于高频开关电路，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路等。
2N6165主要应用于各类功率电子设备中，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器、逆变器以及工业自动化控制系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能开关的理想选择。在电机控制应用中，2N6165可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。此外，该器件也可用于负载开关、继电器替代电路以及高功率LED驱动电路。
IRFZ44N, IRF540N, FDPF6N60, FQP15N06L
