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2N6165 发布时间 时间:2025/9/3 10:37:41 查看 阅读:7

2N6165是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率开关和放大电路中。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。作为一款常见的分立式功率MOSFET,2N6165在工业控制、电源管理和电机驱动等领域中被广泛采用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):15A
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.045Ω(最大)
  功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

2N6165具有多项优良的电气特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高整体系统的效率。该器件的最大漏极电流为15A,漏源电压为100V,适用于中高功率的开关应用。此外,2N6165的栅源电压范围为±20V,具备较强的抗干扰能力,能够稳定工作在复杂的电气环境中。
  该MOSFET采用TO-220AB封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C,可在极端环境条件下可靠运行。此外,2N6165的快速开关特性使其适用于高频开关电路,如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路等。

应用

2N6165主要应用于各类功率电子设备中,包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器、逆变器以及工业自动化控制系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能开关的理想选择。在电机控制应用中,2N6165可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。此外,该器件也可用于负载开关、继电器替代电路以及高功率LED驱动电路。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, FDPF6N60, FQP15N06L

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