型号：2N60LG-TM3-T
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：600V
　　连续漏极电流(Id)：2.0A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id at pulsed)：8.0A
　　导通电阻(Rds(on))：2.0Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3.0V ~ 5.0V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：520pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：110pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：27ns
　　雪崩能量(Eas)：50mJ

2N60LG-TM3-T采用先进的沟槽栅极技术和场板结构设计，显著降低了导通电阻与栅漏电荷，从而提升了整体开关效率。其低Rds(on)特性使得在导通状态下功率损耗大幅减少，有助于提高电源系统的整体能效。该器件具备优异的热稳定性，在高负载条件下仍可维持较低的温升，延长了系统寿命并增强了运行可靠性。得益于优化的晶圆工艺，该MOSFET具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时有效保护自身及外围电路。同时，其快速的开关响应时间和低输入/输出电容进一步减少了开关过程中的动态损耗，特别适用于高频PWM控制环境。此外，2N60LG-TM3-T的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常需10V驱动），便于与常见的控制器或驱动IC直接接口，无需额外的电平转换电路。器件内部结构经过严格筛选和测试，确保批次一致性高，适用于自动化贴片生产线。TO-252封装形式不仅节省PCB空间，还通过底部散热片实现有效的热传导，配合散热焊盘可进一步提升散热能力。整个器件符合工业级质量标准，经过高温反偏（HTRB）、温度循环、高压煮试验等多项可靠性验证，确保长期服役中的稳定性。
　　此外，2N60LG-TM3-T具备良好的抗噪声干扰能力和EMI性能，能在复杂电磁环境中稳定工作。其体二极管具有较短的反向恢复时间，有助于减少换流过程中的尖峰电压，降低对滤波元件的要求。该MOSFET还具备一定的dv/dt耐受能力，避免因电压突变引发误触发或损坏。综合来看，2N60LG-TM3-T凭借其高性能参数、稳健的设计和成熟的制造工艺，成为众多中功率开关电源设计中的优选器件之一，尤其适合追求小型化、高效率和成本效益的应用方案。

2N60LG-TM3-T广泛应用于各类开关模式电源（SMPS）系统中，如AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变器等。其高耐压特性和适度的电流承载能力使其非常适合用于反激式（Flyback）和降压式（Buck）拓扑结构中的主开关元件。在DC-DC转换器中，该器件可用于隔离或非隔离型电源模块，提供高效的能量转换路径。此外，它也被用于电机控制电路中，作为低功率直流电机或步进电机的驱动开关，实现精确的速度与启停控制。在光伏微逆变器或家用太阳能设备中，2N60LG-TM3-T可用于DC-AC转换环节的初级侧开关，助力清洁能源系统的集成化发展。由于其表面贴装封装形式，该器件特别适合自动化生产流程，常见于消费类电子产品主板、工业控制板以及智能家电电源模块中。在LED照明领域，该MOSFET常作为恒流源电路中的调节开关，实现高效调光与节能运行。同时，也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，或作为热插拔电路中的功率开关，提供过流保护功能。凭借其宽泛的工作温度范围和高可靠性，该器件同样适用于部分工业环境下的恶劣工况应用。

STP2NK60ZFP
　　FQP2N60C
　　KIA2N60S