型号：2N60KG-TN3-R
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　封装/焊盘：TO-252 (D-Pak)
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：600V
　　连续漏极电流(Id) @25°C：4.7A
　　脉冲漏极电流(Idm)：18.8A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds on) @Vgs = 10V：1.15Ω 欧姆 最大值
　　导通电阻(Rds on) @Vgs = 10V, Id=2.35A：典型值约1.05Ω
　　阈值电压(Vgs(th)) @Id = 250μA：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss) @Vds=25V, f=1MHz：520pF 典型值
　　输出电容(Coss) @Vds=25V, f=1MHz：115pF 典型值
　　反向恢复时间(trr)：45ns 典型值
　　功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装(SMT)

2N60KG-TN3-R采用Vishay成熟的沟槽场效应晶体管技术，具备出色的电气性能和热稳定性。其最大漏源击穿电压高达600V，能够承受瞬态高压冲击，适用于离线式开关电源等需要直接连接市电整流后工作的场合。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下能量损耗最小化，从而提升了整个系统的转换效率，尤其是在轻载或部分负载条件下表现优异。得益于优化的晶圆工艺，该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg），这显著降低了驱动电路所需的功率，同时也加快了开关速度，使得其在高频PWM控制中表现出色。此外，输入电容和输出电容的匹配良好，有助于减少开关过程中的振荡和过冲现象。
　　另一个关键优势是其良好的热性能。TO-252封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，还通过底部散热片有效传导热量至PCB，实现自然对流或配合小型散热器进行高效散热。这种设计使其能在有限空间内承载较高的持续电流（4.7A），满足紧凑型电源模块的需求。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力，意味着即使在电感负载突然断开或发生短路的情况下，也能吸收一定的感应能量而不损坏，提高了系统的鲁棒性。
　　2N60KG-TN3-R还具有较宽的安全工作区（SOA），可在不同温度和电压条件下稳定运行，避免二次击穿风险。其阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容常见的驱动IC输出逻辑电平，包括基于3.3V或5V系统的控制器。此外，该MOSFET的寄生体二极管具有较快的反向恢复特性（trr ≈ 45ns），可减少续流期间的反向恢复电荷，降低开关节点噪声和交叉导通风险，在LLC谐振变换器或有源钳位电路中尤为重要。综合来看，这些特性使2N60KG-TN3-R成为高性能、高可靠性电源设计的理想选择。

2N60KG-TN3-R广泛应用于多种中高电压开关电源拓扑结构中。典型使用场景包括AC-DC开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源等，其中它常被用作主开关管以实现高效的能量转换。在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中，该MOSFET可以承受来自变压器初级绕组的高压反冲，并通过快速关断来调节输出电压。此外，它也适用于DC-DC升压（Boost）、降压（Buck）及半桥式转换器，在光伏逆变器、UPS不间断电源和工业电源模块中发挥重要作用。
　　在照明领域，2N60KG-TN3-R可用于高频电子镇流器和智能LED调光系统，凭借其低E_on/E_off开关损耗和良好的热管理能力，支持长时间稳定运行。在电机控制方面，该器件可作为H桥或半桥驱动中的功率开关元件，用于小型直流电机或步进电机的速度与方向控制，尤其适合家电（如风扇、洗衣机）中的节能型驱动方案。
　　由于其具备良好的抗干扰能力和高温稳定性，2N60KG-TN3-R也被集成于各类工业自动化设备、通信电源以及嵌入式电力模块中。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）的供电单元中，它能提供稳定的直流电压输出；在电信基站的辅助电源中，则用于实现高密度、高效率的能量转换。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，特别是在需要隔离式DC-DC架构的高压电池包中担任主动开关角色。总而言之，该MOSFET适用于所有要求高耐压、低损耗和高可靠性的中等功率开关应用。

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