时间：2025/12/27 8:04:25
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2N60G-TMA-T是一款由台湾半导体公司（TSC, Taiwan Semiconductor Company）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及照明控制等中低压高效率场景。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有低导通电阻、高输入阻抗和快速开关响应的特性，能够在较高的频率下稳定工作。其封装形式为TO-252（D-Pak），属于表面贴装型封装，便于自动化生产并具备良好的散热性能。2N60G-TMA-T的设计注重能效与可靠性，在保证较高电流承载能力的同时，优化了热阻和寄生参数，适用于对空间紧凑性和功率密度要求较高的应用场合。此外，该MOSFET内部通常集成有体二极管，可用于能量回馈或续流路径，进一步增强了在感性负载环境下的适用性。器件符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，确保在复杂电磁环境和温度波动条件下仍能保持稳定的电气性能。
型号：2N60G-TMA-T
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）：2A（TC=25°C）
最大脉冲漏极电流（IDM）：8A
最大功耗（PD）：50W（TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：≤7.5Ω @ VGS=10V
阈值电压（VGS(th)）：2~4V
开启延迟时间（td(on)）：15ns
关断延迟时间（td(off)）：45ns
输入电容（Ciss）：380pF @ VDS=25V
输出电容（Coss）：110pF @ VDS=25V
反向恢复时间（trr）：30ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252 (D-Pak)
