2N60C 时间：2025/12/29 13:35:09 阅读：9

2N60C是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各类电子设备中的开关和功率控制电路。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机驱动以及负载开关等应用。2N60C的设计使其在高压高功率环境下表现稳定，具备较高的耐用性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：2A（连续）
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω（具体数值可能因制造工艺略有不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　最大功耗(Pd)：50W
　　栅极电荷(Qg)：约20nC
　　漏源击穿电压(BVdss)：600V

特性

2N60C具有多项优异的电气和机械特性，适合多种应用场景。首先，其高达600V的漏源电压使其适用于高压电路中的开关操作，例如电源供应器和逆变器。其次，2A的连续漏极电流能力使其能够在中等功率应用中稳定运行，同时保持较低的功耗。此外，该器件的导通电阻相对较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。
　　2N60C的TO-220封装形式提供了良好的散热性能，能够在高电流工作条件下维持较低的温度上升，从而提升器件的稳定性和寿命。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保其在各种环境条件下均能正常运行，适用于工业和汽车电子等要求较高的应用场景。
　　该MOSFET的栅极电压范围为±30V，允许灵活的驱动设计，同时也具备一定的过压保护能力。其栅极电荷（Qg）约为20nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于提高开关速度并降低驱动电路的复杂性。

应用

2N60C常用于多种电力电子应用中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理**：在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为主开关器件，负责高效的能量转换。
　　2. **电机驱动**：用于控制小型电机的启停和速度调节，适用于自动化设备和家电产品。
　　3. **负载开关**：在电源管理系统中作为负载开关，实现对不同电路模块的通断控制。
　　4. **逆变器与变频器**：用于小型逆变器或变频器中，实现直流到交流的能量转换。
　　5. **工业控制系统**：在工业控制电路中，作为功率开关用于控制执行机构或传感器的供电。