类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压(Vds)：600V
　　栅极-源极击穿电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：2A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤3.0Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-92、TO-220、DIP等
　　功率耗散(Pd)：50W（最大）
　　漏极-源极电压(Vds)：600V
　　栅极电荷(Qg)：约10nC

2N60/CJPF02N60 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（600V）使其能够在高压环境下稳定工作，适用于各种电源转换系统。其次，该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其较高的栅极阈值电压（通常在2~4V之间）可以有效防止误触发，提高电路的稳定性。该器件的封装形式多样，适应不同的应用场景和散热需求，如TO-220封装适用于需要良好散热的工业应用，而TO-92则适用于小功率便携设备。其工作温度范围宽，可在极端环境下保持稳定性能，适用于高温或低温工业控制设备。另外，2N60/CJPF02N60具备较高的可靠性，适用于长时间运行的电力电子系统。

2N60/CJPF02N60 MOSFET主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器的主开关或辅助电源控制；
　　2. DC-DC转换器：适用于Boost、Buck等拓扑结构的功率开关；
　　3. 电机控制：用于小型电机驱动电路中的开关控制；
　　4. 照明系统：如LED驱动电源、电子镇流器等；
　　5. 电池管理系统：用于充放电控制电路；
　　6. 家用电器：如电磁炉、电风扇、空气净化器等产品的功率控制模块；
　　7. 工业自动化：用于PLC、继电器驱动、传感器供电等控制电路。

2N60可用的替代型号包括CJPF02N60、IRF840、2N60C3、FQP12N60C、STP8NK60Z等。这些器件在电压、电流能力、导通电阻等方面具有相近的性能指标，但在封装形式、驱动需求或热性能方面可能略有不同，使用时需根据具体应用进行验证。