类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：2A（连续）
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252（根据具体厂家可能有所不同）

2N60/CJD02N60 MOSFET具有良好的导通特性和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件具备较高的热稳定性和良好的抗过载能力，能够在较恶劣的工作环境下稳定运行。
　　其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力（ESD保护），增强了器件在复杂电路中的可靠性。
　　在设计上，它适用于多种拓扑结构，如Buck、Boost、Flyback等变换器电路，具有较高的设计灵活性。
　　由于其广泛的适用性和良好的性价比，2N60/CJD02N60被广泛应用于工业控制、消费类电子和汽车电子等领域。

该MOSFET常用于AC-DC电源适配器、LED照明驱动、电机驱动模块、智能电表、逆变器、DC-DC转换器以及各种低功率开关电源系统中。
　　此外，它也适用于需要高效、高频开关操作的场合，如开关稳压器和功率因数校正（PFC）电路。
　　在工业自动化和家电控制板中，2N60/CJD02N60也常用于控制继电器、风扇、加热元件等负载。
　　其高可靠性和易驱动特性也使其成为设计工程师在中低功率应用中的首选之一。

FQP2N60C、IRF740、2N60C、CJD02N60、SIHF60N06、STP2NA60