类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

2N5861A具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种高功率应用。其主要特性包括高耐压能力和良好的电流处理能力，最大漏源电压可达500V，最大漏极电流为15A，这使得该MOSFET能够胜任高压、高电流的开关任务。此外，该器件的导通电阻相对较低，典型值为0.55Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　2N5861A采用了TO-220封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高功率运行时的稳定性。其封装结构也便于安装在散热片上，以进一步提升散热效果。此外，该器件的栅极电压范围为±30V，提供了较高的驱动灵活性，允许使用标准的逻辑电平驱动电路。
　　该MOSFET的开关速度快，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，2N5861A的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的应用。此外，该器件具有较强的抗干扰能力，能够有效防止外界噪声对电路性能的影响。

2N5861A广泛应用于多种功率电子设备中，常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED驱动电路、电池充电器以及各种工业控制设备。由于其高耐压、大电流能力和良好的导通性能，该MOSFET特别适合用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统。此外，在音频功率放大器和射频功率控制电路中，2N5861A也表现出色，能够提供稳定的功率输出并减少发热问题。
　　在开关电源设计中，2N5861A可用于主开关管或同步整流管，提高电源转换效率，并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥电路中的功率开关，实现电机的正反转控制和调速功能。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，2N5861A也常用于高频DC-AC转换电路，以实现高效的能量转换。
　　由于其良好的热稳定性和较高的功率处理能力，2N5861A也适用于车载电子系统、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的功率控制模块。在这些应用中，它能够承受较大的负载变化，并保持稳定的运行状态。

IRF840, 2N6755, BUZ11, IRF740