类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：12A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.42Ω
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AB

2N5859A具有多个显著的技术特性，使其适用于各种功率控制和开关应用。首先，其高漏源电压（500V）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压环境。其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）相对较低，典型值为0.42Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　此外，2N5859A具备较高的漏极电流能力（12A），适用于中等功率的开关电路。其TO-220AB封装设计不仅便于安装，还具备良好的散热性能，确保在较高工作温度下仍能稳定运行。该晶体管的栅极驱动电压范围较宽，通常可在+10V至+15V之间正常工作，提高了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　该器件的高可靠性使其在工业控制、电源供应器和照明电路中得到了广泛应用。同时，其低栅极电荷（Qg）特性有助于提高开关速度，从而减少开关损耗，提升整体系统效率。2N5859A还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定的导通和关断性能。

2N5859A主要应用于需要高电压和中等电流控制的电路中。例如，在开关电源（SMPS）中作为主开关管使用，可有效提升电源转换效率。此外，该器件也常用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路以及LED照明驱动电路中。在工业自动化系统中，2N5859A可用于控制继电器、电磁阀等负载。由于其具备良好的耐压和导通性能，也可用于高频功率放大器和音频放大器电路中。在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，2N5859A可用于实现高效的能量转换和控制。

IRF840、2N6755、IRF740