时间：2025/9/2 14:44:09
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2N5760A 是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和其他高功率电子设备中。这款MOSFET采用了硅基技术，具有良好的导通性能和较高的耐压能力，适合于需要高效能和可靠性的应用场合。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏-源电压（VDS）：200V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.18Ω（典型值）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
2N5760A 的核心特性在于其高耐压和高电流承载能力，同时具备较低的导通电阻，这使得器件在工作过程中产生的热量更少，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和过热保护特性，能够在高温环境下稳定运行，适用于恶劣的工作条件。其TO-220AB封装形式也便于散热设计，便于在电路板上安装和使用。
该MOSFET还具有较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PWM控制等。栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。此外，2N5760A 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定工作，减少因电压尖峰造成的损坏风险。
2N5760A 常用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、负载开关以及各种电源管理系统。由于其高可靠性和耐压特性，该器件也常用于工业自动化控制系统、汽车电子设备、UPS不间断电源以及太阳能逆变系统中。在这些应用中，2N5760A 能够提供高效的功率控制和良好的热管理性能，确保系统的稳定运行。
IRF540N, FQP15N20C, STP15NF20, 2N5760
