时间：2025/9/3 7:10:55
阅读：28
2N5668是一款N沟道功率MOSFET晶体管，常用于功率放大器、电源开关和电机控制等应用。该器件具有高电流承受能力和低导通电阻的特点，适用于中高功率的电子系统。2N5668采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：50V
最大漏极电流（ID）：16A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.04 ohms
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
封装类型：TO-220
2N5668具备多个关键特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，其低导通电阻确保在导通状态下功耗较低，提高了系统的整体效率。其次，高电流承载能力（最高16A连续漏极电流）使其适合用于电机控制、电源转换等高负载场景。此外，该器件具备快速开关特性，减少了开关损耗，从而提升整体性能。其TO-220封装形式提供了良好的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围适中，通常可在4.5V至10V之间实现完全导通，便于与常见的PWM控制器或微处理器配合使用。同时，2N5668具备良好的热稳定性和短路耐受能力，进一步增强了其在严苛应用环境下的可靠性。这些特性使其成为电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路中的理想选择。
2N5668广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电动工具、电动车电机控制器、工业自动化设备以及大功率LED照明系统。由于其良好的导通特性和散热能力，该器件也常用于需要高效能和高可靠性的嵌入式控制系统中。
IRF540N, FDP55N25, FQP50N06L, IRL540N
