2N5668是一款N沟道功率MOSFET晶体管,常用于功率放大器、电源开关和电机控制等应用。该器件具有高电流承受能力和低导通电阻的特点,适用于中高功率的电子系统。2N5668采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在较高功率下稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):50V
最大漏极电流(ID):16A(连续)
导通电阻(RDS(on)):0.04 ohms
最大功耗(PD):75W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
栅极阈值电压(VGS(th)):2V 至 4V
封装类型:TO-220
2N5668具备多个关键特性,使其适用于多种功率电子应用。首先,其低导通电阻确保在导通状态下功耗较低,提高了系统的整体效率。其次,高电流承载能力(最高16A连续漏极电流)使其适合用于电机控制、电源转换等高负载场景。此外,该器件具备快速开关特性,减少了开关损耗,从而提升整体性能。其TO-220封装形式提供了良好的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围适中,通常可在4.5V至10V之间实现完全导通,便于与常见的PWM控制器或微处理器配合使用。同时,2N5668具备良好的热稳定性和短路耐受能力,进一步增强了其在严苛应用环境下的可靠性。这些特性使其成为电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路中的理想选择。
2N5668广泛应用于各种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电动工具、电动车电机控制器、工业自动化设备以及大功率LED照明系统。由于其良好的导通特性和散热能力,该器件也常用于需要高效能和高可靠性的嵌入式控制系统中。
IRF540N, FDP55N25, FQP50N06L, IRL540N