2N5628 时间：2025/7/25 7:21:03 阅读：6

2N5628 是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于中高功率的开关和放大电路中。该器件采用了硅基技术，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适合用于如电源转换、电机控制、音频放大器等应用场景。2N5628 采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，能够承受较大的工作电流和电压。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.25Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220

特性

2N5628 MOSFET具有多个显著的技术特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其N沟道结构允许较高的电流流动能力，并且在导通状态下具有较低的电阻，从而降低了功率损耗和热量产生。其次，该器件的最大漏源电压达到100V，适用于多种中高压应用场景。此外，2N5628 的栅极驱动电压范围较宽，通常在±20V以内，使其与多种驱动电路兼容。其TO-220封装设计不仅便于安装，而且具有良好的热管理能力，有助于提高器件在高功率环境下的稳定性。
　　另一个重要特性是2N5628具备较快的开关速度，这使得它非常适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、PWM控制器和开关电源。此外，该MOSFET的热阻较低，可以在较高温度环境下正常运行，提高了其在工业和汽车电子应用中的可靠性。同时，2N5628在制造上采用了高纯度硅材料和先进的工艺技术，确保了器件的稳定性和一致性。

应用

2N5628 MOSFET被广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器，其低导通电阻和高耐压能力有助于提高系统效率。在电机控制领域，2N5628可用于直流电机驱动器和步进电机控制器，其高电流承载能力能够满足电机启动和运行时的功率需求。此外，该器件也适用于音频放大器设计，特别是在功率放大级，其快速开关特性有助于降低信号失真并提高音频质量。
　　在工业自动化和控制系统中，2N5628可用于继电器驱动、负载开关和PLC输出模块。在汽车电子方面，它可以用于车载电源管理系统、LED照明驱动器和电动助力转向系统。此外，2N5628还适用于各种DIY电子项目和原型开发，例如机器人控制、太阳能逆变器和无线充电系统。其广泛的适用性和可靠性使其成为工程师和电子爱好者常用的元器件之一。