2N5570 时间：2025/9/3 7:05:58 阅读：14

2N5570是一种常用的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，具有良好的高频性能和可靠性。2N5570通常采用TO-18金属封装，适用于各种通信设备和工业控制电路。

参数

晶体管类型：NPN型
　　封装形式：TO-18
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率范围：最高可达100MHz
　　增益（hFE）：在Ic=2mA时，hFE范围约为50-300（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2N5570晶体管具有优异的高频性能，适合用于射频信号放大和中频放大电路。该器件的增益（hFE）可以根据需要选择不同的等级，提供了较大的设计灵活性。此外，2N5570的封装采用金属TO-18结构，具有良好的散热性能和机械强度，适用于严苛的工作环境。晶体管的噪声系数较低，有助于提高信号的清晰度和稳定性。2N5570还具有较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合用于工业和通信领域的关键电路。