类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　集电极-基极电压（VCBO）：160V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA时为80-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

2N5551SLT1G晶体管具备多项优异特性，使其在高频放大和开关应用中表现出色。首先，其高增益带宽积（fT）可达100MHz，支持在高频环境下实现良好的放大性能，适用于射频和中频信号处理。其次，该晶体管具有较高的电压耐受能力，集电极-发射极电压（VCEO）为150V，集电极-基极电压（VCBO）为160V，适合中高压放大电路。此外，其电流增益（hFE）在IC=2mA时可达到80至800之间，具体数值根据不同的等级有所变化，提供良好的增益选择灵活性。SOT-23封装使得该晶体管体积小巧，便于在高密度印刷电路板上使用，并具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内可靠工作。同时，其低噪声系数和高线性度也使其适用于低噪声前置放大器等应用场合。
　　另外，该器件在制造上采用了ON Semiconductor的先进硅外延平面技术，保证了器件的一致性和可靠性，适用于工业和消费类电子产品。2N5551SLT1G还具备良好的频率响应特性，能够在高频信号放大中保持较低的失真度，提升整体系统性能。

2N5551SLT1G晶体管广泛应用于高频电子电路中，尤其是在射频（RF）和中频（IF）放大器设计中。其高增益带宽积和良好的高频性能使其成为无线通信系统中信号放大器的理想选择，如在无线基站、射频接收器和发射器的前端电路中使用。此外，该晶体管也可用于音频放大器中的前置放大级，提供高保真信号放大功能。在数字电路中，它可用于高速开关应用，例如逻辑电路和驱动电路。由于其高电压耐受能力，该晶体管还可用于高压开关电路和中功率放大电路。另外，该器件在消费类电子产品中也有广泛应用，如电视机、音响设备、无线遥控器和传感器电路等。其SOT-23封装形式使其适用于自动化贴片生产工艺，广泛用于现代电子制造领域。

BC547, 2N3904, PN2222A