类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：180V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：200V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：600mA
　　功耗（Ptot）：625mW
　　直流电流增益（hFE）：80 - 250（典型值，取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92

2N5551L的核心特性之一是其高电压耐受能力，集电极-发射极击穿电压可达180V，这一特性使其在高压放大电路中表现出色，例如在阴极射线管（CRT）显示器的垂直输出级、高压电源反馈控制回路或光电倍增管信号调理电路中广泛应用。这种高耐压能力使得它能够直接驱动负载而无需额外的电压保护元件，从而简化了电路设计并提高了可靠性。
　　另一个重要特性是其良好的电流增益表现，hFE通常在80至250之间，具体数值根据不同的生产批次和测试条件有所变化。部分制造商提供分级产品（如‘L’后缀），确保器件落在特定增益区间内，有助于提升多管并联或差分对配对时的一致性，减少调试难度。这种稳定的增益特性对于小信号放大器的设计至关重要，尤其是在音频前置放大、传感器信号调理等对信噪比和线性度有较高要求的应用中。
　　频率响应方面，2N5551L的过渡频率（fT）高达100MHz，意味着其可以在较宽的频率范围内保持有效的放大能力。这使得该器件不仅适用于低频模拟信号处理，也能胜任部分射频或高速开关应用。例如，在脉冲发生器、视频信号缓冲器或数字逻辑接口电路中，它可以快速响应输入信号的变化，降低延迟和失真。
　　热稳定性也是该器件的重要优势之一。其最大结温可达+150°C，并可在-55°C的低温环境下正常工作，适应极端环境下的工业与户外设备需求。同时，625mW的总功耗能力允许其在适度散热条件下处理一定的功率负载，避免因过热导致性能下降或损坏。
　　最后，TO-92封装提供了紧凑的物理尺寸和良好的电气隔离性能，便于自动化装配和维修更换。尽管其为通孔封装，但在现代混合电路设计中仍具实用性，尤其适用于原型开发和中小批量生产。综合来看，2N5551L凭借其高电压、高增益、宽温域和良好频率响应，成为众多模拟电路设计师信赖的选择。

2N5551L因其高电压增益和优异的频率响应特性，被广泛应用于多种电子系统中。一个典型的应用领域是小信号放大电路，特别是在需要高输入阻抗和低噪声放大的前置级设计中。例如，在音频设备中，2N5551L可用于麦克风前置放大器或线路输入缓冲级，将微弱的声学信号进行初步放大，同时保持较低的失真水平。由于其具备较高的VCEO电压，该晶体管还能安全地集成到包含较高偏置电压的放大链中，避免因电压波动导致击穿故障。
　　在高压开关和驱动电路中，2N5551L同样发挥着重要作用。例如，在老式CRT显示器或示波器的扫描电路中，它常被用作垂直或水平输出级的驱动管，负责将控制信号转换为足够强度的电流脉冲以驱动偏转线圈。在这种应用中，器件必须承受瞬间高压反冲，而2N5551L的200V VCBO额定值为其提供了足够的安全裕度。
　　此外，该晶体管也常见于光电检测系统，如光电二极管或光电晶体管的信号调理电路。当光敏元件输出微安级别的电流信号时，2N5551L可作为跨阻放大器的一部分，将电流信号高效转换为电压信号，并进行进一步放大处理。这类应用通常出现在烟雾探测器、光强测量仪或工业自动化中的位置传感模块中。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，2N5551L有时也被用于误差放大器或反馈控制环节，调节输出电压稳定性。虽然现代开关电源更多采用专用集成电路，但在一些低成本或维修替换场景中，分立元件方案依然具有实用价值。
　　另外，在实验教学和原型开发中，2N5551L因其参数明确、易于获取且性能稳定，常被选作学习晶体管基本工作原理的教学器件。学生可以通过搭建共发射极放大电路、射极跟随器或简单振荡器来深入理解偏置设置、增益计算和频率响应分析等核心概念。综上所述，2N5551L的应用覆盖了从消费电子到工业控制、从信号放大到高压驱动的多个维度，体现了其作为通用NPN晶体管的强大适应性。

BC547C, BC550C, MPSW55, 2N5550, 2N5552